之前我们跟随金誉半导体有了解过，CP测试和FT测试是芯片测试中的两个模块。

CP是Chip Probe的缩写，指的是芯片在wafer的阶段，就通过探针卡扎到芯片管脚上对芯片进行性能及功能测试，有时候这道工序也被称作WS（Wafer Sort）。

FT是Final Test的缩写，指的是芯片在封装完成以后进行的最终测试，只有通过测试的芯片才会被出货。

从工序角度上看，似乎非常容易区分cp测试和ft测试，没有必要再做区分，而且有人会问，封装前已经做过测试把坏的芯片筛选出来了，封装后为什么还要进行一次测试呢？难道是封装完成度不高影响了芯片的动能吗？不是的，因为从测试内容上看，cp测试和ft测试有着非常明显的不同。

首先受测试治具的限制，在绝大多数情况下，特别是国内，在CP测试上选用的探针基本属于悬臂针（也有叫环氧针的，因为针是用环氧树脂固定的缘故）。这种类型的针比较长，而且是悬空的，因此信号完整性控制非常困难，数据的最高传输率只有100~400Mbps，高速信号的测试几乎不可能完成。

而且，探针和pad的直接接触在电气性能上也有局限，容易产生漏电和接触电阻，这对于高精度的信号测量也会带来巨大的影响。所以，通常CP测试仅仅用于基本的连接测试和低速的数字电路测试。

虽然理论上在CP阶段也可以进行高速信号和高精度信号的测试，但这往往需要采用专业的高速探针方案，如垂直针/MEMS探针等技术，这会大大增加硬件的成本。多数情况下，这在经济角度上来说是不划算，因此在CP测试阶段只能选择传输率不太高，对良率影响较大的测试项目。

于是，一些测试难度大，成本高但信号率不高的测试项目，完全可以放到FT阶段再测试。也是因为一些芯片的部分模组的管脚在封装之前都不会引出来，在FT阶段很难甚至无法测量，如芯片的封装是SIP之类的特殊形式。在这样的情况下，有些测试就必须在CP阶段进行，这也是在封装前还需要进行CP测试的一个重要原因。

因此，cp测试和ft测试的区别就是

1） 因为封装本身可能影响芯片的良率和特性，所以芯片所有可测测试项目都是必须在FT阶段测试一遍的，而CP阶段则是可选。

2） CP阶段原则上只测一些基本的DC，低速数字电路的功能，以及其它一些容易测试或者必须测试的项目。凡是在FT阶段可以测试，在CP阶段难于测试的项目，能不测就尽量不测。一些类似ADC的测试，在CP阶段可以只给几个DC电平，确认ADC能够基本工作。在FT阶段再确认具体的SNR/THD等指标。

3） 由于CP阶段的测试精度往往不够准确，可以适当放宽测试判断标准，只做初步筛选。精细严格的测试放到FT阶段。

4） 如果封装成本不大，且芯片本身良率已经比较高。可以考虑不做CP测试，或者CP阶段只做抽样测试，监督工艺。

5） 新的产品导入量产，应该先完成FT测试程序的开发核导入。在产品量产初期，FT远远比CP重要。等产品逐渐上量以后，可以再根据FT的实际情况，制定和开发CP测试。

了解了它们之间的不同，我们还可以根据测试项目的不同和重复内容等因素，在具体测试项目中进行判断和取舍了。毕竟增加一个复杂的高速或高精度模拟测试，不仅仅会增加治具的成本，还会增加测试机台的费率和延长测试时间，影响出产成果。